Carbon_C

濺射是薄膜沉積的制造過程，是半導體，磁盤驅(qū)動器，光盤和光學器件行業(yè)的核心。

對于電子層面， 濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來，沉積在基板（如硅晶片、太陽能電池板或光學器件）的過程。濺射過程開始前，將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體（通常是氬氣）的真空室中，在靶源上施加負電荷，然后靶源沉積到基板，引起等離子體發(fā)光。

濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對質(zhì)量、靶原子的表面結合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應用于濺射鍍膜機，包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環(huán)境下反應濺射、氣流和磁電管濺射。

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