濺射靶材是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)重要的金屬靶材，隨著中國經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，中國半導(dǎo)體芯片技術(shù)也在快速發(fā)展，芯片制造廠商如英特爾、臺(tái)積電、中芯國際、意法半導(dǎo)體等國際大廠陸續(xù)在中國建立工廠，但制備芯片的關(guān)鍵半導(dǎo)體用Al、Ti、Cu、Ta、W等金屬靶材仍然主要依賴進(jìn)口。特別是12英寸鉭靶材幾乎全部依賴進(jìn)口，這使中國的芯片自給安全存在重大隱患。
對于目前國際社會(huì)競爭實(shí)力來說，芯片或集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是衡量一個(gè)國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標(biāo)志，近年來，中國芯片產(chǎn)業(yè)每年進(jìn)口額遠(yuǎn)超石油，高達(dá)2000億美元以上，高度依賴進(jìn)口。中國很多經(jīng)濟(jì)學(xué)家也看到中國濺射靶材市場存在的問題，也積極改善和提高國內(nèi)濺射靶材企業(yè)生產(chǎn)技術(shù)實(shí)力。
中國許多金屬靶材生產(chǎn)公司，只有堅(jiān)持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，在鉭、鈮、鈹及其合金和特種金屬靶材等技術(shù)領(lǐng)域不斷提高科研實(shí)力，建設(shè)公司完整的鉭冶煉加工生產(chǎn)線，不僅可生產(chǎn)高品級(jí)鉭粉和制備超高純鉭錠，還可穩(wěn)定供應(yīng)8寸鉭靶坯及擁有12寸鉭靶坯的制造技術(shù)。雖然中國許多公司在金屬靶材研發(fā)上實(shí)現(xiàn)了許多成果，但是與國際巨頭濺射靶材公司有非常大的差距。
另外，濺射靶材應(yīng)用半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中，對于物理氣相沉積（PVD）是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中最關(guān)鍵的工藝之一，濺射靶材作為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝中的關(guān)鍵耗材目前也主要依賴進(jìn)口，這對任何一個(gè)國家來說都是存在安全問題，所以中國許多經(jīng)濟(jì)學(xué)家都希望政府能大力推進(jìn)半導(dǎo)體鉭靶材國產(chǎn)化，這樣可以提高企業(yè)的技術(shù)實(shí)力又可以減少國家安全問題。
目前濺射靶材應(yīng)用半導(dǎo)體芯片中鉭靶材在中國發(fā)展迅速，但是中國半導(dǎo)體濺射靶材領(lǐng)域缺少頂層設(shè)計(jì)，還沒有一個(gè)國家或全行業(yè)層面的聯(lián)盟或協(xié)會(huì)來聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，實(shí)現(xiàn)包含鉭靶坯制造商、鉭靶材制造商、芯片制造商的上下游聯(lián)合體；同時(shí)，國外同行形成的技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈壁壘，給鉭靶材國產(chǎn)化造成了極大的技術(shù)障礙，而國產(chǎn)化半導(dǎo)體靶材仍處于入門階段，還不具備市場競爭力。
新時(shí)代，新技術(shù)層出不窮，我們關(guān)注，學(xué)習(xí)，希望在未來能夠與時(shí)俱進(jìn)，開拓創(chuàng)新。