濺射靶材產(chǎn)品多樣化發(fā)展及濺射靶材市場(chǎng)行情

 濺射靶材行業(yè)發(fā)展已經(jīng)走過(guò)幾十年的歷程，每個(gè)國(guó)家都非常重視濺射靶材市場(chǎng)的發(fā)展以及相關(guān)技術(shù)的提高，濺射靶材對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)影響非常深遠(yuǎn)，很多高科技產(chǎn)品的研發(fā)都需要濺射靶材產(chǎn)品進(jìn)行輔助研發(fā)，這樣才可以研發(fā)出高質(zhì)量的產(chǎn)品。那么目前濺射靶材行業(yè)發(fā)展具有哪些特點(diǎn)呢，下面我們進(jìn)行分析如下：

一、 濺射靶材產(chǎn)品多樣，技術(shù)壁壘深

半導(dǎo)體晶圓制造中成膜方法主要包括物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）。濺射鍍膜法屬于PVD的一種，其作用原理是輝光放電過(guò)程：在真空放置室內(nèi)設(shè)計(jì)正負(fù)兩極，通入壓強(qiáng)為0.1Pa~10Pa的氬氣（Ar），在外加高電壓條件下，實(shí)現(xiàn)節(jié)點(diǎn)區(qū)域Ar的擊穿，形成氣體離子，此時(shí)帶電荷的氣體離子在正負(fù)極間電場(chǎng)作用下實(shí)現(xiàn)遷移，帶正電荷離子加速向負(fù)極撞擊，從而導(dǎo)致負(fù)極表面金屬原子獲得能量溢出，此過(guò)程稱為物質(zhì)的濺射，溢出的金屬原子在所需基底上形成均勻的薄膜，半導(dǎo)體的制備過(guò)程初期就是利用此類濺射實(shí)現(xiàn)晶圓電極的制備。

后期，在此基礎(chǔ)上，引入了與電場(chǎng)方向正交的磁場(chǎng)，磁場(chǎng)作用是使得Ar+濺射后產(chǎn)生的二次電子在洛倫茲力的作用下實(shí)現(xiàn)圓形軌跡運(yùn)動(dòng)，從而提高了二次電子與Ar分子接觸的概率，形成更多Ar+而增強(qiáng)輝光放電效應(yīng)，此類技術(shù)由于引入磁場(chǎng)，因此被稱之為磁控濺射。 在磁控濺射過(guò)程中，為保證濺射效果均勻，靶極材料一般以勻速旋轉(zhuǎn)，由此可見此類技術(shù)靶極材料作為薄膜的材料源，屬于耗材。同時(shí)，為獲得高純薄膜，對(duì)靶極材料純度的要求一般較高，金屬材料純度達(dá)到99.99%以上。

二、半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)空間廣

根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2015 年全球半導(dǎo)體材料銷售額為435 億美元，其中晶圓制造材料銷售額為242 億美元，封裝材料為193 億美元。在晶圓制造材料中，濺射靶材約占芯片制造材料市場(chǎng)的2.6%。在封裝測(cè)試材料中，濺射靶材約占封裝測(cè)試材料市場(chǎng)的2.7%。從2011-2015年，世界半導(dǎo)體用靶極濺射材料市場(chǎng)從10.1億美元，增長(zhǎng)至11.4億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為3.1%。

2016年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額達(dá)到443億美元，同比增長(zhǎng)2.4%，其中晶圓制造過(guò)程中涉及半導(dǎo)體材料市場(chǎng)份額達(dá)到247億美元，同比增長(zhǎng)3.1%，封裝測(cè)試過(guò)程涉及半導(dǎo)體材料達(dá)到196億美元，同比增長(zhǎng)1.4%。受半導(dǎo)體行業(yè)整體增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，靶極濺射材料市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，而在2017年，全球集成電路用濺射靶材量達(dá)到13.4億美元，其中晶圓制造用濺射靶材市場(chǎng)達(dá)到7.3億美元，封裝測(cè)試用濺射靶材達(dá)到6.1億美元。中國(guó)集成電路用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模為11.6億元，半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模突破14 億元。