濺射靶材在很多行業(yè)應(yīng)用生產(chǎn)都有非常重要的作用，尤其是在半導(dǎo)體生產(chǎn)上對(duì)電子元器件產(chǎn)品性能的提升有很大的幫助，高阻濺射靶材是電阻器生產(chǎn)的重要材料，這種技術(shù)的使用可以有效提高合金電阻器的性能，那么高阻濺射靶材如何制造合金電阻器呢，下面我們來進(jìn)行分析。
目前很流行制造金屬膜電阻器一般采用熱壓成型高阻靶材產(chǎn)品，可以克服由于Si元素含量偏高引起的靶材脆性較高，容易開裂的難題；所制造的靶材晶粒尺寸細(xì)小、大小分布均勻、致密度高、外部無裂紋、內(nèi)部無孔隙，能夠有效提升金屬膜電阻器的質(zhì)量和薄膜沉積速率。同時(shí)在合金熔煉過程中添加少量稀土元素能夠減少Zr元素在合金組織中的偏聚現(xiàn)象，改善靶材成分分布均勻性。它的制造流程如下：
一、高阻濺射靶材配料：組分為Si、Cr、Ni、Al、Zr及稀土金屬；重量比為，Si：30-70%，Cr：25-50%，Ni：2-20%，Al：0.5-5%，Zr：0.5-5%，其中五元素質(zhì)量百分比總和為100%，稀土金屬添加量為五元素總質(zhì)量的0.1-2.5%；
二、高阻濺射靶材熔煉：采用真空感應(yīng)熔煉爐制備合金鑄錠；
三、高阻濺射靶材制粉：將合金錠制成所需粉料；
四、高阻濺射靶材熱壓成型：定量稱取合金粉料裝入熱壓燒結(jié)爐熱壓成型；
五、高阻濺射靶材機(jī)加工：對(duì)燒結(jié)后樣品進(jìn)行表面拋光及外形加工處理。
由上五點(diǎn)制造流程，而制造這些靶材需要的稀土金屬包括Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu中的一種或幾種。高阻濺射靶材的真空感應(yīng)熔煉爐可以是真空感應(yīng)懸浮熔煉爐，熔煉功率為45KW—60KW，熔煉過程3—5分鐘，在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行。高阻濺射靶材的制粉，其粉料粒度為小于500μm。高阻濺射靶材熱壓成型，熱壓爐內(nèi)真空度高于1×10-2Pa，燒結(jié)溫度為1030-1100℃，成型壓力為15-35MPa，保溫保壓1-4小時(shí)。
通過高阻濺射靶材所制造靶材晶粒尺寸細(xì)小、大小分布均勻、致密度高、外部無裂紋、內(nèi)部無孔隙，能夠有效提升金屬膜電阻器的質(zhì)量和薄膜沉積速率，而且成品率高，易于規(guī)?；a(chǎn)。目前國際市場上生產(chǎn)電阻器的公司都在采用這種制造方法，而且在高阻濺射靶材的選擇上也進(jìn)行多層選材，以便提高生產(chǎn)效率。
新時(shí)代，新技術(shù)層出不窮，我們關(guān)注，學(xué)習(xí)，希望在未來能夠與時(shí)俱進(jìn)，開拓創(chuàng)新。