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銅鋁合金高電流密度值從合金表面的多個位點產生

銅鋁合金材料在整個測試過程中記錄在合金上的峰值電流密度圖??梢?,在銅鋁合金材料上獲得了最高的峰值電流密度值。兩種合金的峰值電流密度分別達到298.3和377.8 μA/cm2。aa218 - t851合金的峰值電流密度值較低,最高可達60 μA/cm2。對于銅鋁合金材料峰值電流密度值接近零,最高約為11 μA/cm2。平均峰值電流密度分別為114.49 μA/cm2、73.03 μA/cm2、21.0 μA/cm2和2.38 μA/cm2。這說明AA7050-T7451合金的腐蝕敏感性最高,對銅鋁合金材料的腐蝕速率最高。然而,值得注意的是,與銅鋁合金材料相比,該合金的峰值電流來自少數SLC位點。在高溫合金材料上,SLC位點數量最高,高電流密度值從合金表面的多個位點產生。這可能解釋了為什么在動電位極化過程中在高溫合金材料上沒有觀察到偽鈍化現象,因為來自點蝕部位的電流之和將非常顯著,淹沒了從氧化物覆蓋區(qū)域流出的總電流。

電熱合金

銅鋁合金材料去除腐蝕產物前的合金表面掃描電鏡圖像顯示,銅鋁合金材料上沒有SLC位點在AA6082-T6合金上甚至沒有觀察到與陰極Al-Fe-Si富相相關的溝槽。銅鋁合金材料在使用的測試環(huán)境中具有良好的耐腐蝕性能的原因可能是銅的含量不高。富銅粒子的電偶聯活性往往比富鐵和富硅粒子的電偶聯活性更顯著。然而,當Mg2Si顆粒在晶界(GBs)處以析出相自由區(qū)(PFZs)的形式析出時,銅鋁合金材料在氯化物環(huán)境中更容易受到影響,這在合金的焊接熱影響區(qū)和過時效回火區(qū)(T7)最為常見。對于其他合金,在當前回火條件下,與SLC形成相關的微觀組織因素很容易出現在其微觀組織中。這些因素包括AA2024的s相和富cu粒子團簇,AA7050的η相(及其變體)和PFZs,以及AA2198的T1粒子。

電熱合金

這些易感銅鋁合金材料上的SLC部位被腐蝕產物覆蓋,這些部位是在腐蝕環(huán)內發(fā)現的特別是在AA2198-T851的SEM圖像中顯示的。觀察到的腐蝕環(huán)是由SLC坑周圍區(qū)域與周圍環(huán)境的pH值差異造成的。溶解氧的還原反應發(fā)生在周圍區(qū)域,而H+離子是由坑內Al3+水解生成的。在銅鋁合金材料點蝕過程中,由于靜電電位差[9]的作用,H+離子從凹坑內部遷移到凹坑口。因此,H +離子周圍存在坑/ SLC網站,導致當地減少坑嘴周圍的pH值明顯結果在模擬的發(fā)展。同時,雖然H +的主要還原生成氫氣氣泡出現在坑內,有些離子在坑口周圍被還原。清楚,將在銅鋁合金材料下面的部分中,是有一個低pH值之間的邊界區(qū)域在SLC網站和高pH值區(qū)域周圍的網站,和這個邊界定義的域腐蝕環(huán)所清楚地描述網站的黑色箭頭標簽。


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