金屬合金材料研究可以清楚地看出，金屬合金材料顆粒相關(guān)侵蝕和GB侵蝕之間存在聯(lián)系，這些聯(lián)系為合金的深滲透提供了途徑。然而，值得注意的是，從點(diǎn)蝕到晶間腐蝕是該合金的典型腐蝕特征。此外，由于這些鏈接的非線性形式，攻擊分支明顯，因此通常很難通過(guò)橫斷面檢查跟蹤攻擊從表面到遠(yuǎn)低于表面的區(qū)域。與新一代金屬合金材料，特別是AA2098和AA2198合金不同，AA2024-T3合金中SLC的萌生與粗大的金屬間化合物相有關(guān)，而腐蝕的擴(kuò)展與軋制方向無(wú)關(guān)。此外，在AA2024-T3合金上觀察到更多的SLC位點(diǎn)，并且攻擊穿透到合金中非常深——是新一代合金(除了AA2050-T84合金)上觀察到的兩倍深。
新一代金屬合金材料說(shuō)明了為什么從坑的總電流比從極化曲線上觀察到的偽無(wú)源電流大。因此，可以認(rèn)為新一代Al-Cu-Li合金(除了AA2050-T84合金)比AA2024-T3合金具有更強(qiáng)的耐蝕性。AA6082-T6合金腐蝕表面的掃描電鏡圖像(a, b)去除腐蝕產(chǎn)物前和(c)后。(d)顯示晶間侵蝕的腐蝕合金橫截面。在該合金中，腐蝕的主要形式是溝槽和空洞(微坑)的形成，這與粗富鐵顆粒的活性有關(guān)。富鐵顆粒是該合金的主要粗顆粒。SLC的形成是非常罕見(jiàn)的。事實(shí)上，在整個(gè)地區(qū)只發(fā)現(xiàn)了一處暴露在外的地方，而且沒(méi)有被發(fā)現(xiàn)。觀察到的SLC沿晶分布(圖13d)，穿透深度僅為30 μm。該合金中IGC的形成是由于GBs處Mg2Si粒子的形成，GBs處有擴(kuò)寬的析出相自由區(qū)(PFZs)，如圖14a中的TEM圖像所示。
新一代金屬合金材料中Mg2Si相對(duì)Al基體具有高度的陽(yáng)極性。在緊鄰GBs的區(qū)域沒(méi)有沉淀促進(jìn)了高陽(yáng)極化Mg2Si相和pfz之間的電偶相互作用。暴露后，Mg2Si相中的Mg組分被選擇性地溶解，留下富si顆粒殘余。雖然一些作者認(rèn)為，富硅顆粒在水存在的情況下迅速形成SiO2，因此不是有效的陰極，但人們認(rèn)為，這一殘余是陰極的，導(dǎo)致鄰近pfz的溶解。圖14b,c中可以看到富硅Mg2Si粒子活性的一個(gè)例子。所提供的圖像來(lái)自于AA6082-T6樣品的輕度腐蝕區(qū)域，該樣品暴露在3.5%的NaCl溶液中7天。在獲得圖像前未去除腐蝕產(chǎn)物。從這些圖像可以看出，富硅顆粒導(dǎo)致相鄰基體的溶解，導(dǎo)致GB的選擇性溶解。
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